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紫光DRAM存储芯片制造工厂计划落户重庆,预计2021年投产
2019-09-02 10:14浏览量:返回上一页
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8月27日,重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。紫光集团将在重庆建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂,据悉,DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设,预计2021年建成投产。

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关于DRAM市场分析

DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫动态随机存取存储器,DRAM 只能将数据保持很短的时间,所以需要定时刷新。由于DRAM的特性决定,DRAM能存储电荷的时间非常短暂,这样它需要在电荷消失之前进行刷新,直到下次写入数据或者计算机断电才停止。每次读写操作都要刷新DRAM内的电荷,因此DRAM设计为有规律的读取其内的内容。

在全球的DRAM芯片市场上,韩国三星和海力士,美国的镁光、英特尔、闪迪,日本的东芝六家厂商,垄断了全球九成的产量。其中仅三星、海力士、东芝三家,就占了八成的份额。DRAM芯片作为存储芯片市场的主力,近年来,随着存储价格的走低,对整个市场影响很大,不管是上游制造商还是分销商、客户等,市场走低势必影响投入,而紫光本次的加大投入也预示着行业正在回暖,市场前景仍广阔。


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