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紫光成立DRAM群将面临制程开发的挑战
2019-09-06 09:37浏览量:返回上一页
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集邦科技存储器储存研究表示,紫光集团于8月27日宣布与重庆市政府签署合作协议,并在重庆投资DRAM研发中心与工厂,厂房预定2019年底动工,并于2021年完工。这显示出在福建晋华遭到美国禁售之后,以及在中美贸易摩擦影响下,中国大陆加速自主开发DRAM产品的进程。

紫光集团已于6月30日公告成立DRAM事业群,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长,CEO则由高启全担任,更加确立中国大陆自主开发半导体的发展方向。

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未来紫光DRAM将应对制程技术的考验

集邦推估,紫光DRAM事业群首先要面对的挑战将是相关制程技术的开发。

紫光集团方面,旗下IC设计公司紫光国微具有DRAM相关产品的研发实力,但制程开发上至今仍未有合作对象,未来如果以自主开发的方向进行,至少需要3-5年的研发时间,代表就算2021年工厂完工甚至进入小批量投片,然达到一定的经济规模仍需要更长的时间。

紫光集团目前较为欠缺的制程研发能力,预计可望藉由其CEO高启全的业界人脉进行补强,而高启全在紫光的5年任期即将在明年届满,是否会对紫光的DRAM发展产生影响,也须持续关注。

为大陆DRAM发展紫光重新出线

集邦说,紫光集团并非首次计划进军DRAM产业,早在2014年就曾表达出研发DRAM的决心,但当时为了平衡产业与地方发展,且紫光已经确定NAND发展路线,后续DRAM的开发计划因而停摆。此次回归,主要是因福建晋华去年11月遭美国颁布禁售令后,量产与未来研发之路不确定性因素高,加上合肥长鑫虽预计今年底导入量产,但整体放量最快也要2020年底。

综合上述,对中国大陆而言,仅有1家DRAM厂不足以实现自主开发目标,尤其又面临中美贸易摩擦等大环境因素,因此让紫光集团重新出线进行DRAM的开发与生产。


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